英特尔获得第二台价值3.83亿美元的High NA EUV光刻机，推动芯片制造领域向前迈进
在最近的财报电话会议上，英特尔首席执行官宣布，公司已成功接收了全球第二台High NA EUV（极紫外光刻机）。
High NA EUV光刻机代表了当今芯片制造的最高水平，其分辨率可达8纳米，能够大幅提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进工艺大规模量产的关键。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备将部署在英特尔位于俄勒冈州的晶圆厂，以支持其新一代功能更强大的计算机芯片的生产。
自去年12月接收全球首台High NA EUV光刻机以来，英特尔已在俄勒冈州晶圆厂完成了组装。此番第二台设备的引入，将进一步增强英特尔在高端芯片制造领域的竞争优势，有望推动公司在2025年超越台积电等竞争对手。
High NA EUV光刻机的引入是英特尔IDM 2.0战略的一部分，旨在通过技术创新和工艺提升，重塑英特尔在全球半导体产业的领先地位。英特尔计划在2027年前将High NA EUV技术用于商业生产，并在2030年前实现代工业务的收支平衡。
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